曝光，簡單點說，就是通過光照射光阻，使其感光。然后通過顯影工藝將曝光完成后的圖形處理，以將圖形清晰的顯現出來的過程。而整個光刻工藝，則是將圖形從光罩上成象到光阻上的過程。
曝光機的原理
談到曝光，那必不可少就要談到曝光機。目前大部分曝光設備采用的是非接觸式曝光。原理是紫外光經過MASK對涂有光刻膠的ITO玻璃曝光，曝光后的玻璃經顯影產生與mask板相同的圖案。
為了在不改變曝光系統的前提下提高NA而改善R值, 可采取的方法有:
（1） 改變接近式曝光機中鏡頭和光刻膠的介質, 將其從空氣換成其他材料。通過該方式改變NA值可以是的193 nm技術在滿足45 nm工藝節點制程要求的同時, 進一步提高到28 nm制程。
（2）如果將接近式配合二重曝光相想結合, 可以進一步將制程節點縮小到22 nm, 且工藝節點縮小到10 nm。
顯示制造中的曝光技術
在TFT-LCD的生產中, 根據制作原件的不同其采取的曝光方式也不相同:
? CF: 主要采取接近式曝光, 其掩模板與基板間距為10 μm左右。因為光通過掩模板后會有干涉效應, 則此種方法形成的圖案解析度不高。而AMOLED，目前LGD的WOLED會采用CF。
? TFT曝光時, 光通過透鏡或面鏡將掩模板圖案投影到光刻膠上的同時, 其基板主要采取步進式或掃描式移動, 以完成整版曝光。到AMOLED的上相差不大，只是LTPS會多幾道光罩而已。
而現在用于Display生產的主流曝光技術為:
? 透鏡掃描方式是一種Step & Scan的方式, 采用該方式的的曝光機有Nikon FX 系列, 其解析度為L/S 3.5 um。
? 反射鏡投影曝光機則主要由Canon FX 采用。其TFT使用機器的解析度L/S 為3.5 um, 而CF用的機器則有4 um和6 um兩種。
? Proximity式機器主要為NSK和DECO采用。其解析度為6 – 8 um, 主要用于CF的制作。
